新华社华盛顿6月10日电（记者吴伟农）美国国际商用机器公司（IBM）开发出一种半导体新技术，不仅将制造出的芯片运行速度提高35％，而且还降低了能耗。
IBM公司发布的消息说，这种新技术通过将制造微芯片的基础材料硅拉长变薄，来加快电子在芯片晶体管中的运动速度。该技术提供了在不缩小芯片线宽的情况下提高芯片性能的方法，不需要对现有的生产程序做太大的改变。
该公司的研究人员将硅放在硅锗的上层，硅锗是硅和锗的混合物，性质类似硅，但有不同的原子结构。由于硅锗中的原子被分得更开，位于硅锗上层的硅中的硅原子就此作出反应，努力伸展，以图与硅锗中的原子排列对齐。结果，硅被拉长了，硅片变薄，阻抗也减小，从而使电子运动速度提高了70％。以这种“拉长硅”为基础制造的芯片的处理速度提高达35％。
IBM公司微电子部门半导体技术发展负责人本杰·达瓦瑞称，应用这种技术的产品将在2003年问世。他说：“这种技术应该使我们至少可以在行业中领先数年。”
新华社华盛顿6月10日电（记者吴伟农）美国国际商用机器公司（IBM）开发出一种半导体新技术，不仅将制造出的芯片运行速度提高35％，而且还降低了能耗。
IBM公司发布的消息说，这种新技术通过将制造微芯片的基础材料硅拉长变薄，来加快电子在芯片晶体管中的运动速度。该技术提供了在不缩小芯片线宽的情况下提高芯片性能的方法，不需要对现有的生产程序做太大的改变。
该公司的研究人员将硅放在硅锗的上层，硅锗是硅和锗的混合物，性质类似硅，但有不同的原子结构。由于硅锗中的原子被分得更开，位于硅锗上层的硅中的硅原子就此作出反应，努力伸展，以图与硅锗中的原子排列对齐。结果，硅被拉长了，硅片变薄，阻抗也减小，从而使电子运动速度提高了70％。以这种“拉长硅”为基础制造的芯片的处理速度提高达35％。
IBM公司微电子部门半导体技术发展负责人本杰·达瓦瑞称，应用这种技术的产品将在2003年问世。他说：“这种技术应该使我们至少可以在行业中领先数年。”
