本报北京4月3日电北京市政府在今天召开的新闻发布会上宣布，为了从根本上改变我国集成电路产业总体水平落后发达国家的局面，北京将建设“国家集成电路研发中心”，中心主要任务是解决这一领域关键工艺技术、装备和产品的自主开发及产业化问题。为此，中心将对193纳米光刻机、0.1微米刻蚀机、离子注入机等关键装备组织强大阵容攻关，对涉及国家安全和经济战略的重大IC产品进行自主设计研发，瞄准深亚微米工艺技术进行研究。
据介绍，中央决定在北京建设“国家集成电路研发中心”，是因为北京集成电路产业链各环节已进入互动发展快车道。在IC设计方面，60家设计公司申报的83项集成电路设计研发专项发展资金项目全部具有自主知识产权，创新水平高，市场前景好，总体设计能力和水平居全国领先地位；在半导体材料方面，北京拥有全国一流的硅材料研发、生产中心，承担的年产6000万平方英寸硅片国家“产业化示范工程”项目，已于2001年初投产，并已掌握了半绝缘砷化镓单晶材料实用化技术；在专用设备研制方面，北京已经成功地开发出光刻机、刻蚀机、扩散炉、退火炉等20种集成电路生产关键专用设备中的18种；在专用材料研制生产方面，北京已规模生产8英寸硅片，并拥有12英寸硅片自主技术，此外，6英寸砷化镓材料生产线也将于本月开工建设；在大规模集成电路生产线方面，北京将于近期建设技术水平在国内领先的超大规模集成电路生产线项目和两条6英寸砷化镓生产线；在人才培养方面，国家已经确定在北京大学、清华大学等北京地区6所重点高校建设软件学院，加强对微电子人才培养。
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